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參考價(jià)	￥ 1212000
訂貨量	≥1臺(tái)

產(chǎn)品詳情

KRi 射頻離子源 RFICP 220

上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRi 射頻離子源 RFICP 220 高能量柵極離子源, 適用于離子濺鍍, 離子沉積和離子蝕刻. 在離子束濺射工藝中, 射頻離子源 RFICP 220 配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 離子光學(xué)元件能夠完成發(fā)散和聚集離子束的任務(wù). 標(biāo)準(zhǔn)配置下射頻離子源 RFICP 220 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 1000 mA.

KRI 射頻離子源 RFICP 220 技術(shù)參數(shù):

陽(yáng)極	電感耦合等離子體 2kW & 2 MHz 射頻自動(dòng)匹配
陽(yáng)極功率	>1kW
離子束流	> 1000mA
電壓范圍	100-1200V
離子束動(dòng)能	100-1200eV
氣體	Ar, O2, N2, 其他
流量	5-50 sccm
壓力	< 0.5mTorr
離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)	OptiBeamTM
離子束柵極	22cm Φ
柵極材質(zhì)	鉬
離子束流形狀	平行,聚焦,散射
中和器	LFN 2000, MHC 1000
高度	30 cm
直徑	41 cm
鎖緊安裝法蘭	10”CF

KRI 射頻離子源 RFICP 220 基本尺寸

KRI 射頻離子源 RFICP 220 應(yīng)用領(lǐng)域：

預(yù)清洗

表面改性

輔助鍍膜 (光學(xué)鍍膜) IBAD,

濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC

離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD

離子蝕刻 IBE

射頻離子源 RFICP 220 集成于半導(dǎo)體設(shè)備, 實(shí)現(xiàn) 8寸芯片蝕刻

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)寬束離子源, 根據(jù)設(shè)計(jì)原理分為考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)li. KRi 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 和離子束拋光工藝 IBF 等領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó) KRi 考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 羅先生

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