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參考價(jià)	￥700000-￥2000000

產(chǎn)品詳情

KRi 射頻離子源 RFICP 系列
上海伯東美國(guó) KRi 射頻離子源 RFICP 系列, 無(wú)需燈絲提供高能量, 低濃度的離子束, 通過(guò)柵極控制離子束的能量和方向, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng)! 射頻源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含離子源本體, 電子供應(yīng)器, 中和器, 自動(dòng)控制器等. 射頻離子源適合多層膜的制備, 離子濺鍍鍍膜和離子蝕刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均勻性, 附著力等.

射頻離子源 RFICP 系列技術(shù)參數(shù):

型號(hào)	RFICP 40	RFICP 100	RFICP 140	RFICP 220	RFICP 380
Discharge 陽(yáng)極	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻	RF 射頻
離子束流	>100 mA	>350 mA	>600 mA	>800 mA	>1500 mA
離子動(dòng)能	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V	100-1200 V
柵極直徑	4 cm Φ	10 cm Φ	14 cm Φ	20 cm Φ	30 cm Φ
離子束	聚焦, 平行, 散射
流量	3-10 sccm	5-30 sccm	5-30 sccm	10-40 sccm	15-50 sccm
通氣	Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他
典型壓力	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr	< 0.5m Torr
長(zhǎng)度	12.7 cm	23.5 cm	24.6 cm	30 cm	39 cm
直徑	13.5 cm	19.1 cm	24.6 cm	41 cm	59 cm
中和器	LFN 2000

射頻離子源 RFICP 系列應(yīng)用:
離子輔助鍍膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )
離子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )
表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )
離子蝕刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)
離子濺鍍 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)
離子濺射鍍膜
上海伯東美國(guó)考夫曼 KRi 大口徑射頻離子源 RFICP 220, RFICP 380 成功應(yīng)用于 12英寸和 8英寸離子束刻蝕機(jī), 作為蝕刻機(jī)的核心部件, KRI 射頻離子源提供大尺寸, 高能量, 低濃度的離子束, 接受客戶定制, 單次工藝時(shí)間更長(zhǎng), 滿足各種材料刻蝕需求!

KRI 射頻離子源典型應(yīng)用 IBE 離子蝕刻
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國(guó)創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國(guó)考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專(zhuān)li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國(guó)考夫曼離子源中國(guó)總代理.

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上海伯東: 羅先生