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參考價(jià)	￥ 600000
訂貨量	≥1件

產(chǎn)品詳情

KRI 考夫曼離子源 KDC 75
上海伯東代理美國(guó)進(jìn)口 KRI 考夫曼離子源 KDC 75:緊湊柵極離子源,離子束直徑 14 cm ,可安裝在 8“CF法蘭. 適用于中小型腔內(nèi), 考夫曼離子源 KDC 75 包含2個(gè)陰極燈絲, 其中一個(gè)作為備用,KDC 75 提供緊密聚焦的電子束特別適合濺射鍍膜. 標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過(guò) 250 mA.

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 技術(shù)參數(shù)

型號(hào)	KDC 75 / KDC 75L(低電流輸出)
供電	DC magnetic confinement
- 陰極燈絲	2
- 陽(yáng)極電壓	0-100V DC
電子束	OptiBeam™
- 柵極	專用, 自對(duì)準(zhǔn)
-柵極直徑	7.5 cm
中和器	燈絲
電源控制	KSC 1212 或 KSC 1202
配置	-
- 陰極中和器	Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000
- 安裝	移動(dòng)或快速法蘭
- 高度	7.9'
- 直徑	5.5'
- 離子束	聚焦平行散設(shè)
-加工材料	金屬電介質(zhì) 半導(dǎo)體
-工藝氣體	惰性活性混合
-安裝距離	6-24”
- 自動(dòng)控制	控制4種氣體

* 可選: 一個(gè)陰極燈絲; 可調(diào)角度的支架

KRI 考夫曼離子源 KDC 75 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE

客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置
美國(guó) KRI 考夫曼離子源 KDC 75

若您需要進(jìn)一步的了解考夫曼離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生