美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設(shè)計(jì)提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統(tǒng), 可以控制較低的離子能量, 通常應(yīng)用于離子輔助鍍膜, 預(yù)清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“  高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機(jī)前體

KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護(hù); 維護(hù)時(shí), 大限度地減少停機(jī)時(shí)間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統(tǒng)
• 等離子轉(zhuǎn)換和穩(wěn)定的功率控制

KRI 霍爾離子源 eH 400 技術(shù)參數(shù):

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 400 應(yīng)用領(lǐng)域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預(yù)清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專li. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進(jìn)一步的了解 KRI 霍爾離子源, 請(qǐng)參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生