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mitsuwa高分子材料劣化評價裝置產品介紹
mitsuwa高分子材料劣化評價裝置產品介紹
東北電子產業(yè)株式會社制造的化學發(fā)光分析裝置
高分子材料在環(huán)境中逐漸氧化并開始劣化。
該裝置采用未有的方法對材料的氧化進行定量，從而可以定量評估氧化劣化。
如今，使用的回收料比原生料氧化程度更高，即使原材料相同，但由于工藝不同，成品性能也存在差異；即使生產批次和制造商不同，成品也因批次和制造商不同而存在差異。對于分析除耐候性以外的涉及氧化的因素（例如性能差異），這是一種非常有效的方法。
產品信息
測量原理
◆傳統(tǒng)的化學發(fā)光法通過捕獲人類不可見的光來檢測氧化劣化，主要在約數(shù)千小時后進行評估，直到達到設備可以檢測到的水平。
該設備最早可以在幾個小時后檢測到變化，具體取決于材料和惡化速度。
通過捕獲上面顯示的光發(fā)射，您可以獲得以下結果。 
?通過在空氣中加熱樣品，過氧化物分解并檢測到“第一個峰”。該第一個峰對應于測量時的過氧化物的量。
- 最終，它將達到平衡狀態(tài)。此時的強度稱為平衡發(fā)射強度（IS）。
- 如果樣品中添加了穩(wěn)定劑，穩(wěn)定劑會阻擋它，但一旦消耗掉，樣品本身就會氧化，發(fā)光強度會增加。
?第2個峰的起點被稱為氧化誘導時間（OIT），可以根據(jù)該OIT評價樣品的氧化穩(wěn)定性。還可以通過 IS（平衡發(fā)射強度）評估樣品的氧化穩(wěn)定性。
陣容
◆高靈敏度型
| 產品名稱/型號名稱 | 超弱發(fā)光檢測光譜儀 CLA-FS5 | 超弱發(fā)光檢測光譜儀 CLA-ID5 |
| 外部的 |
|
|
| 檢測方法 | 單光子計數(shù)法 使用光電倍增管（Photomultiplier） | |
| 檢測波長 | 300nm至650nm（中心波長420nm） | |
| 冷卻方式 | 一次冷卻：帕爾貼元件二次冷卻：水冷 | |
| 測量項目 | ①發(fā)光亮度（次/秒） ②發(fā)射光譜（380nm至660nm/20nm分辨率） | 發(fā)射亮度（計數(shù)/秒） |
| 最短測量時間 （閘門時間） | 0.1秒、1秒、10秒 | |
| 光譜濾光片 | 內置15張（380nm至660nm：每20nm） | 沒有任何 |
| 觸摸屏 顯示項目 | ① 發(fā)光量 ② 樣品室溫度 ③ 樣品室設定溫度 ④ 狀態(tài) ⑤ GateTime ⑥ 報警 ⑦詳情 ⑧樣品室開/關狀態(tài) ⑨快門開/關狀態(tài) | |
| 通訊功能 | USB 端口 (1) 使用特殊程序 | |
| 尺寸/重量 | 523.5(寬)×411.5(深)×547(高)毫米 約60公斤 | 310（寬）×420（深）×524（高）毫米 約35公斤 |
◆成像功能型
| 產品名稱/型號名稱 | 弱發(fā)光圖像測量裝置 CLA-IMG5 | 瞬時光譜測量裝置 共軛SP3 |
| 外部的 |
|
|
| 檢測方法 | 背照式幀傳輸CCD相機 | |
| 檢測波長 | 400-800nm（中心波長600nm） | |
| 冷卻方式 | 風冷 | |
| 有效像素數(shù) | 1024 x 1024 像素 | 1600 x 200 像素 |
| 解決 | 空間分辨率：約150μm×150μm （選項：約10μm） | 波長分辨率：約1nm |
| 測量項目 | 發(fā)光圖像 發(fā)射亮度（圖像選擇范圍內） | 發(fā)射光譜測量 |
| 接觸時間 | 30毫秒～120分鐘 | 0.01 至 10,000 秒 |
| 鏡片 | 25mm F0.95（C接口） | 入口狹縫寬度：0.1/0.5/1.0mm |
| 內置快門 | 內置機械快門 | 沒有任何 |
| 通訊功能 | IEEE1394b | USB |
| 尺寸/重量 | 310（寬）×446（深）×775（高）毫米 約30公斤 | 310（寬）×420（深）×524（高）毫米 約35公斤 |
關鍵詞：
高分子材料劣化評價裝置
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